1200V4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究

• 作者: 元磊 宋庆文 张义门 张玉明 汤晓燕 袁昊
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC JBS 温度特性
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.012

摘要

为了更好地研究温度对碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)静态电学参数的影响,我们成功制备了1.2 kV SiC JBS并对其在25℃～ 150℃温度范围内的静态I-V特性进行了研究.结果显示,常温工况下,所制器件在偏压为1.5 V时的正向电流可以达到5A,而反向击穿电压高于1 300 V,具有良好的正、反向静态特性;高温工况下(150 ℃),所制器件可以正常工作.随着温度的升高,器件的肖特基势垒高度及理想因子基本保持不变,具有良好的稳定性.正向工作时,由于材料迁移率的下降,器件导通电阻随着温度的升高而不断增大(为正温度系数);反向工作时,击穿电压没有随着温度的升高而退化,漏电流则随着温度的升高而不断上升,低压时150℃状态下漏电流相较于常温状态的上升了1.5个数量级,而高压时同样情况下仅上升了1个数量级,符合雪崩击穿机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门		129	835	15.0	21.0
2	张玉明		126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕		24	144	7.0	11.0
4	袁昊		2	0	0.0	0.0
5	宋庆文		5	30	2.0	5.0
6	元磊		1	0	0.0	0.0