N-Ge2Sb2Te5薄膜的相变特性研究

• 作者: 刘军伟 刘巧丽 李廷取 李春波 路大勇
• 来源期刊: 吉林化工学院学报
• 学科: 化学
• 关键词: 相变特性 Ge2Sb2Te5 N掺杂 原位XRD 结晶温度
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 80-82
• 页数: 3页
• 分类号: O614.23
• 字数: 1863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16039/j.cnki.cn22-1249.2016.03.021

摘要

采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明:室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～ 375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变.此外,通过原位XRD确定结晶温度,表明N引入能够显著提高GST薄膜的结晶温度,这有利于提高相变薄膜的非晶热稳定性.