Prospects of gallium nitride double drift region mixed tunneling avalanche transit time diodes for operation in F, Y and THz bands

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篇名	Prospects of gallium nitride double drift region mixed tunneling avalanche transit time diodes for operation in F, Y and THz bands
来源期刊	半导体学报（英文版）	学科
关键词
年，卷（期）	2016,（5）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	24-29
页数		分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/1674-4926/37/5/054001

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