采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

• 作者: 慈朋亮
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: RFLDMOS 击穿电压 导通电阻 RESURF 双层场板 仿真
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.08.012

摘要

研究了一种N型50V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构.通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻RDsSon.最终仿真得到的击穿电压BV为118V,导通电阻RDSon为23Ω·mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	慈朋亮		3	2	1.0	1.0