调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响

• 作者: 帅伟强 张效华 胡克艳 胡跃辉 陈义川
• 来源期刊: 中国陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 ZnO∶Ga薄膜 调制 溅射气压
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75+6|O484.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2016.10.005

摘要

利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜.实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1Pa,2 Pa/1 Pa.对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析.经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的择优取向,呈Zn0的六角纤锌矿晶体结构;第一阶段溅射低气压时候的样品的电阻率较低;可见光透过率随着第一阶段溅射气压的升高不断降低;PL分析时,不同的气压状态下都出现紫外发光峰和蓝色发光峰,随着第一段溅射气压的升高样品本征发光峰和缺陷发光峰都加强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张效华		25	69	5.0	7.0
2	胡跃辉		54	127	6.0	8.0
3	陈义川		38	96	6.0	7.0
4	胡克艳		17	38	4.0	5.0
5	帅伟强		9	1	1.0	1.0