N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS器件的耐压特性

• 作者: 何健 张强 张海鹏 李阜骄 郝希亮
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 沟槽 N漂移区 BPLSOILDMOS 横向耐压
• 年，卷（期）: 2016,（22）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 字数: 2142字
• 语种: 中文

摘要

为了提高横向小尺寸薄埋氧层BPL SOI LDMOS器件的横向耐压,提出一种N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS结构.该结构在BPL SOI LDMOS N漂移区的上表面引入一个沟槽.当器件正向截止时,与原结构相比,新结构具有更高的横向耐压值和漂移区最优掺杂浓度.采用2维数值仿真工具TCAD对该器件结构仿真测试,结果表明与原结构相比,该结构横向耐压得到显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	张强	杭州电子科技大学电子信息学院	5	6	2.0	2.0
3	郝希亮	杭州电子科技大学电子信息学院	3	14	2.0	3.0
4	何健	杭州电子科技大学电子信息学院	3	4	1.0	2.0
5	李阜骄	杭州电子科技大学电子信息学院	1	1	1.0	1.0