衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响

• 作者: 乔在祥 冯少君 刘浩 夏丹 孙海涛 宋殿友 李鹏宇 薛玉明
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 铜锌锡硫(CZTSSe) 衬底温度 太阳电池 结构特性 薄膜
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 285-289
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.16136/j.joel.2017.03.0767

摘要

采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜.采用低温一步法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜;采用两步法,即在衬底温度分别为300℃和480℃制备CZTSSe薄膜;将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜.通过对X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼谱对比发现,在300℃低温下一步法和300℃、480℃两步法沉积的薄膜表面粗糙,碎小晶粒较多;在480℃一步高温法制备的薄膜表面平整,晶粒大小均匀,3个衍射峰的半高峰宽变窄,薄膜的结晶质量得到改善,且没有发现其它杂相的拉曼特征峰,沉积出适合作为制备CZTSSe薄膜太阳电池的吸收层.