MEMS湿法工艺对硅衬底性能要求的探讨

• 作者: 张伟才 陈晨 韩焕鹏
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 各向异性 湿法腐蚀 缺陷
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 4-6,15
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1860字
• 语种: 中文

摘要

通过对比MEMS各向异性腐蚀中硅材料表现出的各类缺陷,研究硅材料性能对腐蚀工艺的影响.研究中发现,硅中原生缺陷是影响腐蚀效果的重要因素,而原生缺陷与晶体初始氧含量密切相关.同时,掺杂原子会造成晶格畸变,继而导致腐蚀缺陷的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0
2	张伟才	中国电子科技集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
3	陈晨	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0