InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控

• 作者: 侯彩霞 彭铭曾 杨静 赵德刚 郑新和
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致发光 高分辨X射线衍射
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 709-713
• 页数: 5页
• 分类号: O472.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.05.019

摘要

InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要.采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发光谱研究了垒层厚度对InGaN多量子阱太阳电池结构的界面质量、量子限制效应及其光学特性的影响.较厚垒层的InGaN/GaN多量子阱的周期重复性和界面品质较好,这可能与垒层较薄时对量子阱的生长影响有关.同时,厚垒层InGaN/GaN多量子阱的光致发光光谱峰位随温度升高呈现更为明显的“S”形(红移-蓝移-红移)变化,表现出更强的局域化程度和更高的内量子效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨静	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	63	548	16.0	22.0
2	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
3	郑新和	北京科技大学数理学院	3	1	1.0	1.0
4	侯彩霞	北京科技大学数理学院	1	1	1.0	1.0
5	彭铭曾	北京科技大学数理学院	1	1	1.0	1.0