硅基无源器件介电薄膜相对介电常数表征方法研究

• 作者: 杨道国 王晓磊 秦臻 蔡苗 陈文彬 马丁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 介电薄膜 相对介电常数 共面波导 S参数 表征方法 无源器件
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 字数: 2218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.08.011

摘要

介电薄膜的相对介电常数是介电材料的重要表征参数之一.在表征未知材料之前,需要用已知材料——二氧化硅验证表征方法的准确性.针对这一问题,提取了两组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于保角映射原理,使用三种不同的方法,先得到器件的有效介电常数以及结构参数,然后表征得到介电薄膜的相对介电常数.结果表明:S21表征法的平均偏差约1.435％,单线表征法的平均偏差约为0.483％,双线表征法的平均偏差约为0.448％.因此,可以得出结论:三种方法均可以准确地表征相对介电常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡苗	桂林电子科技大学机电工程学院	20	50	4.0	6.0
2	杨道国	桂林电子科技大学机电工程学院	53	221	9.0	12.0
3	陈文彬	桂林电子科技大学机电工程学院	6	9	2.0	2.0
4	秦臻	桂林电子科技大学机电工程学院	3	4	1.0	2.0
5	王晓磊	桂林电子科技大学机电工程学院	4	8	2.0	2.0
6	马丁	桂林电子科技大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0