硅片化学机械抛光后存放方法探讨

• 作者: 刘云霞 刘卓 史训达 杨少坤 林霖 蔡丽艳 赵而敬
• 来源期刊: 物理化学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 表面活性剂 金属沾污 颗粒 CMP
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 184-189
• 页数: 6页
• 分类号: TN3

摘要

化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表面颗粒的变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史训达		8	34	3.0	5.0
2	刘卓		4	0	0.0	0.0
3	刘云霞		5	3	1.0	1.0
4	赵而敬		6	3	1.0	1.0
5	蔡丽艳		6	3	1.0	1.0
6	林霖		2	0	0.0	0.0
7	杨少坤		1	0	0.0	0.0