3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能

• 作者: 丑修建 孙雅薇 徐方良 李芬 穆继亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积(ALD) 三维结构 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 微电子机械系统(MEMS) 电学性能
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 517-522
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.006

摘要

为提高电容器的比电容,设计了基于三维(3D)结构的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器.采用原子层沉积(ALD)技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟舍得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系.基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95.同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级.且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丑修建	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
2	穆继亮	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	66	4.0	8.0
3	徐方良	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	孙雅薇		5	4	1.0	1.0
5	李芬	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0