ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响

• 作者: 徐飞 李晓良 李雅飞 陈洁珺 顾溢 马英杰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ICP刻蚀 Cl2/Ar Cl2/BCl3 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 216-220
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.02.015

摘要

采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响.结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻胶发生变性.对于GaAs样品刻蚀,刻蚀气体中Cl2含量越高,刻蚀图形侧壁的横向刻蚀越严重.Cl2/BCl3对GaAs的刻蚀速率比Cl2/Ar慢,但刻蚀后样品的表面粗糙度比Cl2/Ar小.刻蚀InP时的刻蚀速率比GaAs样品慢,且存在图形侧壁倾斜现象.该工作有助于推动在器件制备工艺中以光刻胶作为掩模进行ICP刻蚀,从而提高器件制备效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马英杰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	65	2261	27.0	47.0
2	徐飞	上海大学理学院物理系	7	42	3.0	6.0
3	李雅飞	上海大学理学院物理系	1	2	1.0	1.0
7	李晓良	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	34	2.0	4.0
8	陈洁珺	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
9	顾溢		11	79	6.0	8.0