一种用于片上静电防护的新型闩锁免疫可控硅

• 作者: 仝壮 刘俊杰 刘志伟 尹沙楠 李浩亮
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 闩锁 可控硅 器件仿真
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 524-528
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170440

摘要

可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改进设计了一种新型SCR器件,即MOS High-holding Voltage SCR (MHVSCR).通过对SCR寄生三极管正反馈进行抑制,并提高维持电压,实现了闩锁免疫.详细分析了MHVSCR提高SCR维持电压的可行性、工作原理以及实现步骤.基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明:设计的器件将传统器件的SCR维持电压从2.8V提高至15.88 V,有效实现了SCR在12 V工艺下的闩锁免疫能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李浩亮	郑州大学信息工程学院	31	33	3.0	4.0
2	刘志伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	29	3.0	5.0
3	刘俊杰	郑州大学信息工程学院	6	2	1.0	1.0
4	尹沙楠	郑州大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0
5	仝壮	郑州大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0