衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响

• 作者: 何双赐 汪竞阳 钟志成 魏彦锋
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 共溅射 衬底温度 光电性能 蓝移
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 784-788
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.05.031

摘要

以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响.结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3Ω·cm).所有样品薄膜在380～780nm区间平均透过率大于90％,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何双赐	湖北文理学院物理与电子工程学院	2	1	1.0	1.0
5	钟志成	湖北文理学院物理与电子工程学院	16	29	3.0	5.0
6	魏彦锋	湖北文理学院物理与电子工程学院	4	1	1.0	1.0
7	汪竞阳	湖北文理学院物理与电子工程学院	9	6	1.0	2.0