AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用

• 作者: 孙强 张保国 张启明 张礼 方亮 杨盛华 王赫 罗超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 氧污染 金属有机气相外延(MOVPE) 多结太阳电池 晶格失配 半导体直接键合
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 481-488,522
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.2|TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.07.001

摘要

AlGaInP材料在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一.然而,在其金属有机气相外延(MOVPE)生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素.探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度.讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得高质量AlGaInP子电池的几种技术途径,包括提高生长温度、生长速率和磷烷体积流量,以及采用Se作为发射区的n型掺杂剂和GaInP/AlGaInP异质结构.介绍了近年来AlGaInP材料在高效多结太阳电池领域的研究进展,包括正向晶格失配太阳电池、反向晶格失配太阳电池和半导体直接键合太阳电池,并对其未来的发展趋势进行了展望.