系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案

• 作者: 刘凡 刘志伟 干旭春 成辉 朱冬梅 王国强 黄文刚 黄晓宗
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: ESD保护 片上和板级协同设计 寄生效应 系统级封装
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 141-145
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170162

摘要

提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能.该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容.虽然集成的芯片引脚均可满足2 000 V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600 V的ESD冲击.在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600V提升至2 500V.片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中.