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摘要:
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5 Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA).TIA输入级电路采用三级反相器级联结构.为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值.输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出.为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准带隙电路和电压偏置电路,采用温度补偿技术来保证芯片的温度稳定性.电路仿真结果表明,在误码率BER=1×10-12情况下,TIA的后仿真灵敏度为-30.2 dBm,跨阻增益为87.5 dBΩ,带宽为1.8 GHz.在3.3V电压的条件下,功耗为119.4 mW.
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CMOS工艺
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于55nm CMOS工艺的2.5Gbit/s高灵敏度跨阻放大器
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 高灵敏度 跨阻放大器 双AGC电路 有源电感峰化 温度补偿
年,卷(期) 2018,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 289-294
页数 6页 分类号 TN722|TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170382
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王豪 武汉大学物理科学与技术学院 69 158 6.0 8.0
2 常胜 武汉大学物理科学与技术学院 92 343 9.0 13.0
3 陈伟 武汉大学物理科学与技术学院 89 485 12.0 18.0
4 黄启俊 武汉大学物理科学与技术学院 128 515 11.0 15.0
5 何进 武汉大学物理科学与技术学院 34 70 5.0 7.0
6 余得水 武汉大学物理科学与技术学院 2 1 1.0 1.0
7 童志强 3 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高灵敏度
跨阻放大器
双AGC电路
有源电感峰化
温度补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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