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摘要:
随着集成电路技术节点的缩小,需要开发一种具有高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液,而且对抛光后的残留,腐蚀和微划伤等表面缺陷的要求也更严格.这是一种具有优异性能的铜化学机械抛光液.研究了抛光液配方对抛光性能包括去除速率和轮廓,静态腐蚀速率,碟形凹陷,铜残留物的清除能力和铜腐蚀状况的影响.电化学方法也被用来研究和支持这些抛光结果和性能.通过优化配方和抛光工艺,该铜化学机械抛光液能在>0.9μm/min的去除速率下获得约300?的碟形凹陷.
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文献信息
篇名 高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 集成电路制造 化学机械抛光 抛光液 铜化学机械抛液 碟形凹陷
年,卷(期) 2018,(7) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 49-52
页数 4页 分类号 TN405
字数 2413字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 荆建芬 1 1 1.0 1.0
2 张建 1 1 1.0 1.0
3 杨俊雅 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路制造
化学机械抛光
抛光液
铜化学机械抛液
碟形凹陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
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15
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