影响AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素

• 作者: 张子砚
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: GaN 2DEG 势垒层 双异质结
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 字数: 1936字
• 语种: 中文

摘要

从双异质结AlGaN/GaN/AlGaN HMET器件的结构特点,分析了影响二维电子气(2DEG)的若干因素,如AlGaN势垒层中AL组分、势垒层厚度、GaN层厚度等.进一步分析了器件的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张子砚	贵阳学院电子与通信工程学院	12	13	2.0	3.0