W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现

• 作者: 孟范忠 张贞鹏 方园
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路(MMIC) GaAs PHEMT W波段接收前端 场效应晶体管(FET) 三次谐波混频
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 675-680
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.003

摘要

研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC).该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路.低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露.对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试.在片测试结果表明,在88～ 104 GHz频段内,通道增益为5.0～7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W.该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方园	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	23	4.0	4.0
2	孟范忠	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	3	1.0	1.0
3	张贞鹏	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0