预应变InGaN/GaN多量子阱发光特性调控研究

• 作者: 曹文彧 王文义
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 预应变 极化电场 电致发光 量子限制斯塔克效应
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 211-214,251
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.02.013

摘要

为了减弱InGaN/GaN量子阱内的压电极化场,在蓝紫光InGaN/GaN多量子阱激光器结构中采用了预应变InGaN插入层,通过变温电致发光和高分辨X射线衍射测量研究了预应变插入层对量子阱晶体质量和发光特性的影响.实验结果显示,常温下有预应变层的量子阱电致发光谱积分强度显著提高.模拟计算进一步表明,预应变层对量子阱内压电极化场有调制效果,有利于量子阱中的应力弛豫,可以有效减弱量子限制斯塔克效应,有助于提高量子阱的发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹文彧	湖北文理学院物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0
2	王文义	湖北文理学院物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0