基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究.通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似“U”型分布.通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布.通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数叠栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量.另外,利用电荷泵技术验证了三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系.
推荐文章
高性能电荷泵电路设计
锁相环
电荷泵
失配
一种低压高效的电荷泵设计
电荷泵
体效应
转换效率
低电压
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
界面态
氧化层陷阱电荷
电荷分离方法
辐照效应
一款抗SET电荷泵研究
PLL
抗辐射加固设计
单粒子瞬态效应
电荷泵
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 电荷泵技术 缺陷能级分布 缺陷空间分布 三维器件 负偏压温度不稳定性(NBTI)
年,卷(期) 2019,(7) 所属期刊栏目 半导体器件
研究方向 页码范围 542-547
页数 6页 分类号 TN386|TN307
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗军 中国科学院大学微电子学院 51 222 8.0 12.0
5 吴元芳 中国科学院大学微电子学院 11 37 4.0 5.0
6 田阳雨 中国科学院大学微电子学院 1 0 0.0 0.0
7 金鹰 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (5)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1969(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1984(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1988(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2018(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电荷泵技术
缺陷能级分布
缺陷空间分布
三维器件
负偏压温度不稳定性(NBTI)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
论文1v1指导