钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响

• 作者: 刘英博 孙堂友 李海鸥 李玺 李琦 李跃 李陈成 陈永和
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 地球科学
• 关键词: 氮等离子体钝化 硫钝化 界面态密度 边界陷阱密度 隧穿电流
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 438-443
• 页数: 6页
• 分类号: N305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.007

摘要

制备了Al/Al2O3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面.研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性.实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×1010 cm-2·eV-1.与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×1012 cm-2·V-1降低至5.9×1011 cm-2·V-1,同时减少了陷阱辅助隧穿电流.氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据.