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摘要:
针对以国内新研发的Au导体浆料与电阻浆料在Al2 O3基片表面印制的Au导体/电阻复合厚膜烧结易起泡的现象,在探明起泡原因的基础上,研究了烧结温度、 升温速率以及Au层厚度对复合厚膜起泡的影响,进一步优化厚膜工艺,制备出无起泡的复合厚膜.研究表明,烧成温度过高导致的玻璃相浮于复合膜层表面并结晶,烧结过程不充分和Au层厚度不足等导致不能在陶瓷基片/Au层界面形成连续的玻璃相粘结层,界面结合强度大大降低,在陶瓷基片/Au层界面易起泡.在烧结峰值温度为825℃,升温速率为40℃/min,Au导体层厚度为10μm的工艺条件下,复合厚膜与陶瓷基片结合紧密,无起泡现象.
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文献信息
篇名 陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 厚膜电子浆料 烧结工艺 起泡机理 显微结构 相组成
年,卷(期) 2019,(12) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 54-61
页数 8页 分类号 TN452
字数 3664字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.12.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汤文明 合肥工业大学材料科学与工程学院 104 841 16.0 23.0
2 董永平 3 0 0.0 0.0
3 刘俊夫 7 2 1.0 1.0
4 朱文丽 合肥工业大学材料科学与工程学院 2 0 0.0 0.0
5 卫敏 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
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烧结工艺
起泡机理
显微结构
相组成
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电子元件与材料
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大16开
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62-36
1982
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