采用Si1-xGex渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

• 作者: 张航 徐甲然 杨秀钰 陈梦 陈诺夫 陶泉丽
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 Ge薄膜 快速热退火 Si1-xGex缓冲层 择优生长
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 549-555
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si1-xGex缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理.采用X射线衍射仪、拉曼光谱测试仪、扫描电子显微镜对Ge薄膜表征.结果表明:使用该方法制备的Ge薄膜及缓冲层界面清晰;沉积Ge薄膜的临界结晶温度约为375℃;在800℃,110s的退火条件下随衬底温度的升高,Ge薄膜由Ge(220)择优生长转变为Ge(111)择优生长.衬底温度500 ℃时磁控溅射沉积的Ge薄膜,经800℃,110s快速退火处理后的Ge(111)衍射峰峰强占比达到74％,平均晶粒尺寸达到41 nm,为后续替代锗单晶作为多结电池衬底材料打下良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈诺夫		22	33	3.0	4.0
2	陶泉丽		10	13	2.0	3.0
3	张航		6	4	2.0	2.0
4	陈梦		7	19	2.0	4.0
5	杨秀钰		4	2	1.0	1.0
6	徐甲然		4	2	1.0	1.0