RF MEMS器件牺牲层释放工艺研究

• 作者: 刘志斌 周拥华 马玉
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: RFMEMS器件 牺牲层 快速冷冻升华 超临界
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 59-61,64
• 页数: 4页
• 字数: 1811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19772/j.cnki.2096-4455.2019.1.017

摘要

牺牲层释放是RF MEMS器件制造过程中的关键工序之一.本文采用多种方法进行牺牲层湿法释放对比试验,从中优选出较佳的去胶溶液及其参数、置换溶液及其参数和2种成品率较高的干燥方法:快速冷冻升华法和超临界干燥法,可使RF MEMS器件牺牲层释放成品率大于等于85％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周拥华	中国电子科技集团公司第五十四研究所	5	1	1.0	1.0
2	刘志斌	中国电子科技集团公司第五十四研究所	2	1	1.0	1.0
6	马玉	中国电子科技集团公司第五十四研究所	1	0	0.0	0.0