氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

• 作者: 刘佰清 王印权 郑良晨 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 薄膜 氟掺杂 介电常数
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN34
• 字数: 1562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0310

摘要

采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性.结果 表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高.掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		1	0	0.0	0.0
2	王印权		1	0	0.0	0.0
3	刘佰清		1	0	0.0	0.0
4	郑良晨		1	0	0.0	0.0