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摘要:
为了达到在短时间内提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)性能的目,本文提出了一种快速热处理(RTP)的后处理方法,并对其升温时间进行研究.实验结果表明RTP工艺能够在短时间内实现a-IGZO薄膜内部的缺陷复合与断键重连,提升a-IGZO薄膜质量,从而提高a-IGZO TFT的器件性能.基于RTP工艺的a-IGZO TFT获得了良好的电学特性,其阈值电压与亚阈值摆幅低至0.2V与0.31 V·decade-,与未退火的a-IGZO TFT相比分别降低了67%与77%;其载流子迁移率与开关电流比高达8.7 cm2/Vs与7.8×106,与未退火样品相比分别提升了171%与1.1×103倍.与此同时,RTP的处理时间仅需不到5 min,大幅度缩短了a-IGZO TFT所需的后处理时间.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 快速热处理方法对铟镓锌氧化物薄膜晶体管特性的改善
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 快速热处理
年,卷(期) 2020,(3) 所属期刊栏目 电子器件
研究方向 页码范围 214-219
页数 6页 分类号 TN321
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2020.03.06
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘纯亮 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 124 527 9.0 16.0
2 张小宁 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 37 116 6.0 8.0
3 张鹤 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 3 14 2.0 3.0
4 王若铮 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 2 3 1.0 1.0
5 王耀功 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 4 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
铟镓锌氧化物
薄膜晶体管
快速热处理
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研究去脉
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期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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