硅片化学机械抛光技术的研究进展

• 作者: 康仁科 徐嘉慧 王紫光 董志刚
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 化学机械抛光 抛光液 抛光垫 抛光设备
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 页码范围: 24-33
• 页数: 10页
• 分类号: TG58|TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2020.4.0004

摘要

随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一.由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等.本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述.