GaN HEMT双指热耦合关系的研究

• 作者: 肖立杨
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 多指 热耦合 有限元
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 3828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0710

摘要

为研究GaN HEMT多指结构器件中发热指之间的热耦合问题,该文通过分析基于有限元的双指结构器件的仿真数据,得到两发热指之间热耦合的强度与两者所处版图不同位置无关这一结果.通过建立热路模型分析论证这种热耦合关系产生的原因,最后通过模型进一步解释了器件整体热阻与发热指功率的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立杨	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0