重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响

• 作者: 杨帆 王银海 金龙 马梦杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅外延 衬底 自掺杂 衬底电阻率
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 63-65
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1208

摘要

重掺衬底掺杂剂在硅外延过程中通过气相和固相扩散进入反应系统,不仅对当前反应产生自掺杂效应,而且还会对后续外延产生影响,即系统自掺杂效应.通过实验设计量化了不同衬底掺杂剂、不同衬底电阻率、不同外延厚度的系统自掺杂效应影响大小;确认了衬底系统自掺杂重的产品会对后续衬底系统自掺杂轻的产品外延电阻率有显著影响.给出了各种情况下去除外延系统自掺杂效应的最佳方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆		9	11	2.0	3.0
2	金龙		5	7	1.0	2.0
3	王银海		7	4	1.0	2.0
4	马梦杰		2	0	0.0	0.0