用于铜互连CMP工艺的抛光液研究进展及发展趋势

• 作者: 周佳凯 崔雅琪 杨程辉 牛新环 王治
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 化学机械抛光 综述 抛光液 发展方向
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 12-18
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0191

摘要

在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面.CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术.抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率.本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展.此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新环		69	406	10.0	17.0
2	杨程辉		2	0	0.0	0.0
3	周佳凯		3	0	0.0	0.0
4	王治		2	0	0.0	0.0
5	崔雅琪		2	0	0.0	0.0