MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究

• 作者: 吴建伟 吴素贞 宋思德 徐政 徐海铭 洪根深 谢儒彬 贺琪
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT MIS栅结构 X-ray总剂量辐射效应 阈值电压
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1211

摘要

通过对MIS型GaN HEMT器件在不同电偏置条件下进行X-ray辐射试验,研究了MIS型GaN阈值电压对辐射总剂量(TID)的响应规律,分析了绝缘栅介质/AlGaN叠层结构在500 krad总剂量过程中的电荷积累行为.结合辐射导致的空穴积累和外加偏压导致的电子/空穴积累,说明了MIS型GaNHEMT器件的阈值参数随总剂量变化的机制.在不加外加偏置电压辐射时,栅介质层/AlGaN层存在的空穴陷阱导致正电荷积累;在栅极正向偏置辐射下,栅极注入空穴,加速了空穴的积累,导致更大的阈值降低;而在栅极反向偏置辐射下,栅极注入电子过程与辐射电离产生的电子空穴输运、俘获过程相互耦合,导致非单调的阈值变化.研究结果对评价GaN功率器件空间应用可行性以及评价GaN器件栅极可靠性具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴素贞		1	0	0.0	0.0
2	徐政		1	0	0.0	0.0
3	徐海铭		1	0	0.0	0.0
4	宋思德		1	0	0.0	0.0
5	谢儒彬		1	0	0.0	0.0
6	洪根深		1	0	0.0	0.0
7	吴建伟		1	0	0.0	0.0
8	贺琪		1	0	0.0	0.0