ITO薄膜的电阻并联效应研究

• 作者: 王松林 杨崇民 张建付 李缘 米高园 刘青龙
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发 ITO薄膜 方块电阻 超宽光谱
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 850-854
• 页数: 5页
• 分类号: TB383.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.06.017

摘要

采用电子束蒸发镀膜方法在K9玻璃基底上分别镀制了ITO/SiO2/ITO,ITO/Ti2O3/ITO和ITO/MgF2/ITO结构的多层薄膜,用四探针方块电阻仪测量薄膜表面的方块电阻,用原子力显微镜观测样品的表面微观形貌.结果显示,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜的物理厚度小于100 nm时,各层ITO薄膜之间通过山峰状的凸起结构相连通,导致样片表面的方块电阻测量值与各层ITO薄膜电阻的并联值相当.这表明,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜厚度较小时,各层ITO薄膜表现出电阻并联效应.利用多层ITO薄膜的电阻并联效应设计并制备了450?1 200 nm超宽光谱透明导电薄膜,用四探针方块电阻仪测量了试验样片的表面方块电阻,用紫外-可见-近红外分光光度计测试了样片的光谱透射率.结果显示,在相同表面方块电阻条件下,相比于单层ITO薄膜,利用ITO薄膜电阻并联效应所制备的多层透明导电薄膜具有更高的光谱透射率.