硅通孔结构参数对信号传输性能的影响

• 作者: 佘陈慧 刘培生 范广明 谈利鹏 陶玉娟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 信号-地结构 TSV 信号传输性能 插入损耗 表面积
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 101-105,110
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0518

摘要

利用ANSYS HFSS软件建立硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的信号-地(S-G)结构模型,在不同TSV的结构参数下对TSV信号的传输特性进行研究,将传输模型的插入损耗S21作为传输性能好坏的判断标准.结果表明:TSV的传输性能与TSV的半径、TSV的高度以及填充金属的表面积有关,与体积无关,即金属材料的填充率对插入损耗几乎没有影响.