SGT MOS器件电容特性研究与分析

• 作者: 任丽丽 李建澄 郭荣辉
• 来源期刊: 电声技术
• 学科: 工学
• 关键词: SGT MOS器件 电容模型 电容特性
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与应用
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: TN919.85
• 语种: 中文
• DOI: 10.16311/j.audioe.2020.06.019

摘要

功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关.相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联.因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势.