非极性(11-20)a面GaN薄膜MOCVD生长及性质研究

• 作者: 史红卫 杨洪权 胡平 范艾杰
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 非极性 (11-20)a面GaN薄膜 金属有机化合物化学气相沉积 结构各向异性
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 综述与论著
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 2239字
• 语种: 中文

摘要

本论文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了非极性(11-20)a面GaN薄膜,并利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射系统(HR-XRD)分别深入分析了生长薄膜的表面形貌、晶体质量和结构特性.研究结果表明,非极性(11-20)a面GaN薄膜在V/III为600时表面完全合并但存在大量的表面坑,而其在V/I I I为1200时出现大量的三角形表面坑.而且,V/I I I比为850～1000时有助于减少该薄膜的表面坑.由于非极性(11-20)a面G a N薄膜的G a吸附原子扩散长度的各向异性,使其结构在a面内存在各向异性,因此这些薄膜在c和a方向上的XRD摇摆曲线的半高宽值也存在各向异性.另外,Ga原子沿c方向的迁移在相对较高的反应室压力(100 Torr)时被抑制,从而降低了非极性(11-20)a面GaN薄膜的结构各向异性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡平		15	10	2.0	2.0
2	杨洪权		4	0	0.0	0.0
3	范艾杰		2	0	0.0	0.0
4	史红卫		2	0	0.0	0.0