集成电路铜膜化学机械抛光台阶高度修正能力的研究

• 作者: 卢亚楠 周佳凯 杨程辉 牛新环 王建超 霍兆晴
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 铜膜 双氧水 1,2,4-三氮唑 修正能力
• 年，卷（期）: 2020,（23）
• 所属期刊栏目: 表面技术
• 页码范围: 1654-1658
• 页数: 5页
• 分类号: TG175
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2020.23.010

摘要

为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5％(质量分数)、甘氨酸2％(质量分数)和FAOA非离子表面活性剂5mL/L组成的基础碱性抛光液(pH=8.5)中加入不同质量分数的H2O2和1,2,4-三氮唑(TAZ).研究了H2O2和TAZ的配比对铜膜CMP台阶高度修正能力的影响.结果表明,H2O2过量时,不仅不利于提高铜膜表面台阶高度修正能力,反而会起到反作用.适当增大TAZ的用量则对台阶高度的修正能力有积极的效果.含0.3％H2O2和0.003％TAZ的抛光液对铜膜表面台阶高度的修正能力高达1186?,效果最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新环		69	406	10.0	17.0
2	王建超		9	42	3.0	6.0
3	杨程辉		2	0	0.0	0.0
4	周佳凯		3	0	0.0	0.0
5	霍兆晴		1	0	0.0	0.0
6	卢亚楠		1	0	0.0	0.0