一种应用于12 GHz的AlN多层陶瓷外壳

• 作者: 杨振涛 彭博 刘林杰 高岭
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN 多层共烧陶瓷 绝缘子 陶瓷焊球阵列 X波段
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术
• 页码范围: 158-163,168
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.011

摘要

以AlN材料为陶瓷基材,采用陶瓷绝缘子的射频传输端口结构及陶瓷焊球阵列封装形式,结合多层陶瓷加工工艺,设计并制备了一款可封装多个芯片的X波段AlN陶瓷外壳.采用应力仿真软件对外壳进行结构设计,利用电磁仿真软件对该外壳的射频端口进行仿真优化.采用微带线直接穿墙形式,设计了共面波导-带状线-共面波导的射频传输结构,并与陶瓷外壳进行一体化设计和制作.利用GSG探针对外壳样品进行测试,实测结果表明,在0～12GHz频段内,外壳射频端口的插入损耗不小于-0.5 dB,回波损耗不大于-15 dB,AlN一体化外壳尺寸为10.25 mm×16.25 mm×4 mm,可广泛应用于高频高速信号一体化封装领域.