化学机械抛光过程低k/铜表面材料去除机制及损伤机制研究进展

• 作者: 司丽娜 刘万宁 吴锐奇 阎红娟 杨晔 张淑婷
• 来源期刊: 润滑与密封
• 关键词: 化学机械抛光 low-k材料 异质表面 材料去除机制 损伤机制
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 综述与分析|Summary and Analysis
• 页码范围: 135-139,146
• 页数: 6页
• 分类号: TG115.5+8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2021.04.022

摘要

针对低k介质/铜表面在平坦化加工中极易造成材料界面剥离、互连线损伤和表面不平整等问题,国内外学者对CMP过程中的材料去除机制以及损伤机制开展了大量的研究工作.对集成电路平坦化工艺——化学机械抛光过程中低k介质/铜界面的力学行为和摩擦损伤特性研究进展进行综述,介绍异质表面的材料去除行为及去除理论研究现状;展望了化学机械抛光过程低k介质/铜表面去除机制研究的研究趋势,即通过对异质界面的分子原子迁移行为研究,揭示异质表面的微观材料去除机制及损伤形成机制,最终寻找到异质表面平坦化及损伤控制方法.