电纺硼掺杂氧化铟场效应晶体管的研究

• 作者: 汤琪 王俊杰 刘国侠
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 场效应晶体管(FET) 纳米纤维 硼 氧化铟
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 660-664
• 页数: 5页
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0081

摘要

采用静电纺丝方法制备了基于不同掺杂浓度的铟硼氧纳米纤维(IBx O)为沟道层的场效应晶体管(FET).研究分析了B掺杂对氧化铟纳米纤维的表面形貌、结晶特性以及场效应晶体管电学性能的影响.实验结果发现,相比于纯的氧化铟场效应晶体管,IBx O-FETs表现出更低的关态电流和正向移动的开启电压,表明掺杂剂硼的引入能够有效抑制氧化铟中的电子浓度.场效应晶体管在硼的掺杂浓度为摩尔分数6％时表现出最优的电学特性,饱和电流为3.71×10-4 A,亚阈值摆幅为1.56 V/decade,电流开关比为3.1×107,场效应迁移率为2.11 cm2·V-1·s-1.同时实验研究发现将高k值ZrOx作为介电层时,其性能明显提高,器件的工作电压降低到4 V,场效应迁移率提高为3.75 cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降低到80 mV/decade.