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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】科技部日前开始了2014年国家高技术研究发展计划(863计划)和国家科技支撑计划的项目申报工作。申报项目将通过视频答辩、专家咨询、方案论证、项目查重等程序,从中择优确定2014年度计划...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】摩尔定律确实是变慢了。依照摩尔定律,全球半导体的工艺制程技术平均每2年进入一个新世代。但是从工艺微缩角度讲,所有业界人士有一个共识,即半导体迟早会遇到技术上无法克服的物理极限,无论是1...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】自去年7月以来,三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块,这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的"PCIM亚洲展2013"中隆重亮相。众所周知,目前市场上采用的功...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】如果取代同等额定值的硅模块,Cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损,从而可以直接缩小散热片70%的体积或提高50%的功率密度。新型六只装SiC模块可以消除传统的设计限制(功率密度...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】日立制作所中央研究所(以下简称日立中研)在2013年3月27～30日举行的"日本第60届应用物理学会春季学术研究会"的"SiC功率电子技术的最前沿"会议上,就该公司正在开发的SiC J...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】英飞凌科技股份公司日前发布一个可取代十余个独立器件从而简化系统设计和生产工作的收发器产品线。由于功耗更低,这一高度集成的单片收发器,还可帮助降低高数据速率毫米波无线回程通信系统的固定费...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】GeneSiCSemicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC双极晶体管(BJT),并在功率半导体国际会议"ISPSD201"(2013年5月26～30日在日本石川县金...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是G...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40 V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布,剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称,剑桥大学该套6×...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司的新高性能声波滤波器已获得三星、LG、HTC和摩托罗拉移动等广受欢迎的4G智能手机的设计所采用。这些目前已批量出货的新滤波器采用...
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15. 新式锗材料可望取代硅刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】美国俄亥俄州立大学(Ohio State University)的研究人员们发明出一种以原子薄层沉积锗材料的新方法,据称可生长出较硅更高10倍性能的新式锗材料,并可望成为较其它下一代材...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】据美国国防先期研究计划局网站2013年4月30日报道:许多军事射频系统,如雷达和通信系统,都采用单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。氮化镓MMIC放大器能大幅增强射频性能,然而,工...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】据韩联社5月7日消息,韩国科学技术院(KAIST)7日表示,韩国科学技术院新材料学科教授李健载率领的研究小组近期研发出了可弯曲面板的核心部件——可弯曲的高韧性半导体(LSI)。这种半导...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)与研究机构展开合作,携手开发下一代MEMS器件的试制生产线。下一代MEMS器件将采用压电或磁性材料和3D封装等先进技术以增强...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】不久前ARM才宣布与台积电完成首款以16nmFinFET制程技术优化64位ARMv8处理器系列产品的消息,并且最快在今年内就成正式量产,目前台积电方面也透露将在2015年左右完成以EU...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10纳米鳍式电晶体(FinFET)制程后,格罗方德(GLOBAL-FOUNDRIES)日前也喊出将超...
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21. 中国在半导体制造领域全面超越美国刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】大萧条高峰时期以来,全球微芯片厂商所消费的原材料总价值首次下滑,降低到了471.1亿美元,降幅为2%。不过,这一数据只是来自于许多来源中的一个,是由国际半导体设备材料产业协会(SEMI...
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22. IHS:半导体业进入3年成长期刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】"半导体产业尽管在去年第四季出现了高于预期的成长,但2012年对于半导体市场和供应商来说,仍是惨淡的一年。"资料分析公司IHSiSuppli研究总监(驻上海)王阳这样说着。他指出,全球...
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23. IGBT市场是否持续坚挺刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】各国政府都将削减可再生能源及交通等领域的支出,因此IGBT器件和模块的制造商面临着一场考验。大部分IGBT制造商都在整个功率电子领域展开了竞争。英飞凌、三菱电机、富士电机等大企业在绝缘...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称,至2022年SiC和G...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML近期披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业...
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26. IR开始商业装运氮化镓器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓(GaN)功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】从可以记录心率的智能手表,到可以追踪身体活动的智能臂带,可佩戴电子产品与健康监控设备正在日益吸引关注自身健康的消费者兴趣,用于这些产品的MEMS传感器的出货量将在短短五年内增长三倍以上...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】半导体设备与材料协会(SEMI)发布最新统计报告指出,2012年全球半导体材料市场(Material Market)产值在连续3年实现正向成长后,2012年首度出现2%的微幅下滑,总产...
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29. 欧洲项目推动功率微电子未来刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】LASTPOWER项目组公布了为期三年由欧盟资助的功率半导体项目开发成果。以研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术为目标,涉及工业、汽车、消费电子、再生能源转换系统和电信应用。项目开发...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 【正】据美国电子时代网站2013年5月29日报道:欧盟宣布将增加4条先进生产线建设计划,包括发光二极管和450 mm晶圆等。此前,欧盟宣布建设全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)试生产线。该五条芯...
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