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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文依据位错的弹性理论建立半导体锗中６０°棱位错模型，用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价，得出了锗中６０°棱位...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 提出了一种改善功率因子和抑制高次谐波的单变换功率因子改善 (PFC)电路。它采用双向开关和同期整流 ,得到了高功率因子、高效率和低高次谐波。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 采用有效质量方法 ,计算了夹在两无限宽势垒层Al0 4Ga0 6As中的单个斜量子阱AlxGa1 -xAs中的束缚态电子包络函数和能级 ,并讨论了阱宽对能级的影响。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 报道了用传统固态烧结工艺制备的金属 PTC陶瓷复合材料的NTC现象 ,研究结果表明这种NTC现象是由于镜像力作用导致金属半导体肖特基势垒高度减低所致。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。它的确立、研究与发展 ,不仅对现代电子信息科技 ,而且对低维体系物理、新型材料科学和纳米科学技术的...
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12. 压力传感器的发展,现状与未来刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文通过大量的数据和资料叙述了压力传感器的发展过程、研究现状和发展趋势 ,为从事压力传感器研究的科技工作者提供一些参考。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本文介绍了一种对二路随机脉冲尾数求差的原理 ,并在此基础上推出用十进制求差的计算法。同时 ,利用此方法成功地设计了一个可以级联的二路脉冲信号求BCD码差值的集成电路。填补了集成电路对二路脉冲...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 实验研究了ＳＩ－ＧａＡｓ材料中的ＥＬ２能级光淬灭对ＴＳＣ谱的影响。ＥＬ２能级显著光淬灭后，ＴＳＣ谱发生了明显的变化。一些ＴＳＣ峰的高度明显降低甚至消失，在低温端ＴＳＣ谱出现一些新的峰。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用私正变换和改进的线性组合算符法研究了ＣｄＦ２、ＺｎＳ和ＳｉＣ内任意耦合强度磁极化子的振动频率和有效质量的磁场特性。数值计算结果表明：不同耦合常数的材料，磁场所给的定解范围和耦合强度的取值...
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16. 电化学制备CuxS薄膜特性的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜主要居为Ｃｕ２Ｓ，具...
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17. GaAs抛光片腐蚀过程初步研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用Ｘ射线衍射、Ｘ射线双晶衍射和Ｘ射线荧光三种手段对经Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１６：１：１和３：１：１腐蚀液，在不腐蚀条件下得到的ＧａＡｓ片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物以...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用浸泡震荡分散法制备了ＹＦｅＯ３掺ＳＯ４＾２－半导体气敏材料，并对其电志和气敏性能进行了研究。结果表明：ＳＯ４＾２－的掺入改变了ｐ型ＹＦｅＯ３，半遐体材料的导电性能；少量ＳＯ４＾２－（≈１％...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Ｓｐｉｎｄｔ阴极阵列作为电子源，阳极分为五个区域，以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的国赤出器件...
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20. 微电子封装技术的发展与展望刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 微电子技术的发展，推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次，微电子坟技术发展的三个阶段，并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展，进而分析了元器件的发展历史，重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、及其发展方向，最后结合当今的信息与通信技术指出Ｌ：现代通信与信息...
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22. 半绝缘GaAs电传输特性刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 半绝缘ＧａＡｓ是弛豫半导体，其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍，并介绍了不同金属／半绝缘ＧａＡｓ接触结构的电传输特性。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在建立的理论模型基础之上，定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响，指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素，ＥＬ２能级...
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25. 超前进位随机脉冲计数器的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 利用随机脉冲尾注差原理，导出了二进制两路尾数求差的计算法。在不增加门速度的前提下，从根本上解决了随机脉冲因交叠所产生的计数错误。另外，在设计集成电路组件时，内部增设超前进位专用加法器电路，从...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 介绍了一种适用于高速数据跳频通信系统的新型频率合成器。详细分析了该频率合成器的工作原理、技术指标等，并且给出了具体的实施方案。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在ＴＤＤ－ＴＤＭ终端设备中，彩和移位寄存器芯片４５１７Ｂ完成数字语音信号的压缩、扩张和存储的功能。
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28. CMOS锁相环PLL的设计研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在阅读大量锁相近十年发表的英文文献的基础上，对锁相环的设计及特性做了深入的分析，并对锁相环的主要部件相频检测器和压控振荡器的结构和特性做了比较和总结。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式；然后介绍该类器件发展的最新动态，着重阐述几种最新器件；最后分析预测了这类器件发展的方向。
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30. 低维半导体材料研究进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 综述了低维半导体材料的最新发展动态和发展趋势。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
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