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半导体技术2018年第10期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 分析了目前分段电流舵数模转换器(DAC)在动态性能提升和芯片面积缩小等方面的局限性.提出了动态元件匹配(DEM)译码技术.设计了16 bit DAC中的DEM译码电路结构,分析了DEM译码技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 设计并实现了一款具备200 mA输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换.采用无感式设计简化了开关电源的复杂外围,有效减小了体积.对开关电容电压反转器的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构pH传感器,并研究了其温度特性.将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 利用电化学阳极氧化方法制备了高度有序的TiO2纳米管阵列,采用旋涂方法在纳米管表面制作一层聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)薄膜构建PEDOT∶PSS/Ti...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台.从施加高温...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研究了一种新型源电极的双物质双栅隧穿场效应晶体管(NSE-DMDG-TFET),该器件结合了新型源电极和双物质栅的优点,其中新型源电极由传统的欧姆接触电极和高功函数浮空肖特基接触电极构成,该...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂.使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层(Ta)和介质层(TEOS-SiO2)的去除速率选择性实验,实验表明...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 设计了一种三维(3D)硅基电容器,采用原子层沉积(ALD)技术制备了钨(W)薄膜电极.通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电学分析仪对薄膜进行表征...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研究了Nd∶BiFeO3(NBFO)/Nb∶SrTiO3(NSTO)异质结构的电阻变换效应并讨论其铁电阻变换机理.利用脉冲激光沉积(PLD)法在NSTO单晶衬底上生长了NBFO薄膜,并构筑了...
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11. 特高压晶闸管的焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术.采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 针对应用在双陀螺组合中的DC/DC模块输入级VDMOS内引线熔断、输出级整流二极管发生短路的问题进行了失效分析.通过分析可知,DC/DC模块失效是由于其输出端整流二极管击穿短路,导致输入端电...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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