半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
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  • 作者: 乔树允 刘玉贵 周州 曾庆明 李献杰 蔡树军 蔡道民 赵永林
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2049-2052
    摘要: 制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0.3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0.85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振...
  • 作者: 赵吉祥
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2058-2061
    摘要: 基于DDM-CM理论,建立了CMOS工艺下射频集成电路中广泛使用的平面螺旋电感器的π型集总等效电路.获得了Si-SiO2结构衬底上解析、封闭的集总参数的表达式,并和已经发表了的实验数据进行了...
  • 作者: 曾一平 段垚 沈文娟 王俊 王启元
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2069-2073
    摘要: 采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、原子力显微镜和室温光致发光谱研究了厚度对ZnO薄膜的结构、表面和光学性能的影响.X...
  • 作者: 吴峻峰 孙宝刚 邵红旭 钟兴华
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2080-2084
    摘要: 制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA...
  • 作者: 张琳丽 胡俊涛 郭常新 陈建刚
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2127-2132
    摘要: 用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析...
  • 作者: 刘军 孙玲玲
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2175-2181
    摘要: Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的...
  • 作者: 何捷 唐长文 闵昊
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2182-2190
    摘要: 为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现...
  • 作者: 吴洪江 吴阿惠 王绍东 高学邦
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2191-2195
    摘要: 利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO,并获得了一次设计投片成功.提取了GaAs HFET的大信号模型,利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻,以此为依...
  • 作者: 于军 任天令 冯海刚 刘理天 刘锋 杨晨 王自惠 龙海波
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2208-2212
    摘要: 制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感.该电感使用溶胶-凝胶法制备的CoZrO铁氧体作为磁性薄膜;采用平面单匝形式的金属线圈,从而形成"SiO2绝缘层/磁膜层(CoZrO)/SiO2绝缘层/C...
  • 作者: 石寅 高雪莲
    发表期刊: 2005年11期
    页码:  2241-2247
    摘要: 提出一种基于仿真的模拟电路参数自动生成方法,通过利用模拟电路性能仿真数值结果生成描述电路性能与电路参数之间关系的正多项式响应曲面模型(polynomial response surface ...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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