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控制与信息技术
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KONGZHI YU XINXI JISHU
曾用名：
变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12)
影响因子
0.2801
主办单位：
中车株洲电力机车研究所有限公司
ISSN：
2096-5427
CN：
43-1546/TM
出版周期：
双月刊
邮编：
地址：
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1119
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 典型的宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具备击穿场强高、饱和电子漂移速率快及热导率高等特性,能满足现代功率器件在大功率场合、高频高温工况下应用的发展需求.本文以开关电源、电动汽车、新能源发电、...
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2. 信息动态刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要：
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 近年来,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的高压功率器件迅速发展.在SiC高压功率器件中,门板可关断晶闸管(GTO)具有高阻断电压、大电流、快速关断、低正向导通压降以及耐高温等优点.文章主...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： SiC器件具有高温、高频和低损耗的性能优势,将其应用于逆变器装置中,可有效提高系统效率,降低能耗,减小系统的体积和重量.本文基于SiC芯片和模块的技术特点分析,介绍了SiC器件在国内外轨道交...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 对谐振全桥变换器而言,利用SiC MOSFET能提高开关频率,达到增大功率密度、降低系统成本、提高效率及简化拓扑电路的目的.文章研究了一种基于第三代SiC MOSFET的零电压(ZVS)LL...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 在高频开关工况下,SiC器件分布参数(电感、电容)间耦合振荡带来的过电压易造成元器件的击穿损坏、引发的电磁噪声会干扰变流器其他部件的正常运行.文章对SiC MOSFET的开关过电压进行了机理...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 作为第三代半导体材料,SiC材料在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度、热导率等方面,比第一、二代半导体材料具有明显的优势.为了研究SiC二极管及混合功率模块在并网光伏逆变器中的应用优势,本文分...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60℃～200℃)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为了改善SiC MOS电容氧化膜的质量和界面态密度,采用正交试验法考察了温度、压力、时间以及一氧化氮气流量等主要氮化工艺参数对4H-SiC MOS电容栅氧特性的影响,发现温度是影响栅氧特性最...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了栅条参数对器件性能的影响;器件终端结构采用经过优化的...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 介绍了1 700 V SiC SBD器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验.通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结构;针对器件制造工艺中的钝化和金属化两项关键工艺进行原理...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC PiN二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω.cm2量级...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为了更好地研究温度对碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)静态电学参数的影响,我们成功制备了1.2 kV SiC JBS并对其在25℃～ 150℃温度范围内的静态I-V特性进行了研究.结...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一.本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为了研究结温对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗的影响,搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路和双脉冲测试电路,并针对SiC MOSFE...
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刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16nH,有效降低了模块的峰值电流...
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17. 蓄势待发的SiC功率半导体器件刊名： 控制与信息技术发表期刊： 2016年5期页码:摘要： SiC作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和功率半导体器件制造水平最为成熟的宽禁带半导体材料.优异的物理特性使其成为高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料,...
控制与信息技术基本信息
| 刊名 | 控制与信息技术 | 主编 | |
| 曾用名 | 变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12) | ||
| 主办单位 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 主管单位 | |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
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| ISSN | 2096-5427 | CN | 43-1546/TM |
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