电子元件与材料期刊
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 刘琳 宋忠笑 张杰 许家胜 钱建华
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  1-6
    摘要: 超级电容器作为一种新型储能转化设备,以其充放电时间短、循环寿命长以及功率大等优点,引起了广泛的关注。超级电容器电极材料是影响其性能的重要因素。具有尖晶石结构的钴基金属氧化物以其优异的电化学性...
  • 作者: 窦忠宇 覃信茂 陈少波 陈英
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  7-10
    摘要: 本文结合当前国内外磷烯的研究进展,分别介绍了机械剥离法、液相剥离法及化学合成法等磷烯制备方法,并针对其优缺点进行分析讨论;还结合了磷烯的结构和特性,概括了磷烯在场效应晶体管、光电子器件等领域...
  • 作者: 刘文龙 吴孟强 文浪 汪东霞 王振宇 胡一明
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  11-14
    摘要: 主要介绍了微米硅、多孔微米硅以及经修饰后的硅-氧化钴电极材料性能。以质量分数12%的氧化钴修饰多孔硅,首次与第二次放电电容量分别为3590 mAh·g–1和2679 mAh·g–1,其放电电...
  • 作者: 王代强 邓开乐
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  15-18
    摘要: 提出了一种新型的超宽带单极子天线,该天线将经典圆形单极子的下半圆用两个倒梯形替代,有效减小了天线的体积,利用电磁场仿真软件Ansoft HFSS对该天线进行了仿真优化。结果表明,该天线的阻抗...
  • 作者: 刘子豪 周建 朱永忠
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  19-22
    摘要: 应用微机电系统(MEMS)开关设计了一款基片集成波导(SIW)可调滤波器。该滤波器整体尺寸为40 mm×57 mm×0.708 mm,调节范围4.96~5.78 GHz,滤波器由两层介质基片...
  • 作者: 彭菊红 朱星宇 杨维明 王旭光
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  23-26
    摘要: 针对传统的高低阻抗微带低通滤波器和开路端短截线微带低通滤波器体积较大、过渡带较缓且插入损耗较大的问题,采用高阻抗传输线单元加载并联倒T形枝节方法,构成带阻滤波支路,抑制了寄生通带,减小了滤波...
  • 作者: 张国俊 张涛 曾敬源 王影 陈远龙
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  27-30
    摘要: 分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同...
  • 作者: 冯全源 李旭
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  31-34
    摘要: 设计了一种用于自适应开启时间(adaptive on-time, AOT)Buck型DC-DC变换器的定时器电路,采用了输入电压前馈补偿和输出反馈技术,使开关频率不随输入、输出电压变化,实现...
  • 作者: 崔红卫 张威虎 张富春 杨延宁
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  35-39
    摘要: 采用第一性原理的局域自旋密度近似和在位库伦能修正(LSDA+U)的计算方法,结合广义梯度近似下的赝势平面波方法,计算了CoSi合金的磁性和光学性质。计算结果显示在费米能级附近,CoSi合金的...
  • 作者: 秦会斌 邓江峡 郑梁 郑鹏 高建强
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  40-43
    摘要: 采用固相反应烧结法制备了铁氧体材料Y3-xNdxFe5O12(0≤x≤2),研究了不同烧结温度和Nd3+掺杂量对样品微观结构和磁性能的影响。发现在Nd3+掺杂量相同的情况下,样品密度随烧结温...
  • 作者: 凌智勇 温娟 邵枫 黄钰凯
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  44-47
    摘要: 采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯(KH550-GO)新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高达2.18×10–6 F/cm2。通过自组装法,借助磁控...
  • 作者: 应祥岳 文化锋 李健 李军 柯昂
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  48-51
    摘要: 提出了一种基于高阶π型低通滤波器电路结构的阵列探测器,可实现高输出功率和大工作带宽并存。该探测器根据光电二极管等效电容模型,用电感元件连接各光电二极管构成等效的π型滤波器结构,合成各光电二极...
  • 作者: 郑莹
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  52-55
    摘要: 分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间...
  • 作者: 冯志红 刘波 张力江 王会智 高学邦
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  56-59
    摘要: 基于0.25μm GaNHEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC(单片微波集成电路)。MMIC所用GaN HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性...
  • 作者: 冉秦翠 卢斌 蒲利春
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  60-63
    摘要: 近年来,石墨烯因其独特的物理化学性质备受关注,但石墨烯的零带隙结构,限制了它在光电领域方面的应用。研究了石墨烯场效应管制备的关键工艺,即用石墨烯图形化打开其带隙,并在1 cm×1 cm的石墨...
  • 作者: 唐明 尹立孟 李东 李勇 王刚
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  64-68
    摘要: 采用精密动态力学分析仪DMA Q800对比研究了无铅Sn-3.0Ag-0.5Cu“铜/钎料/铜”三明治结构搭接接头与对接接头微尺度焊点在75~145℃与8~20 MPa应力下的高温蠕变性能。...
  • 作者: 王雪松 龚龙艳
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  69-72
    摘要: 提出了一种紧凑型的PIN二极管微波开关电路设计。在并联型PIN二极管单刀双掷开关电路设计的基础上,提出了单刀九掷开关电路结构。工作频带宽度为800 MHz。该开关电路可承受连续功率为45 d...
  • 作者: 刘心宇 刘飞 屈婧婧 袁昌来 赵耐丽 魏星
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  73-76
    摘要: 采用固相反应法制备了具有钙钛矿结构的(1–x)Ca0.7Nd0.2TiO3-xBa0.4Sr0.6TiO3(0.05≤x≤0.5)陶瓷,并对其烧结行为、相组成、显微结构及微波介电性能进行了研...
  • 作者: 庄再晨 杨天鹏 杨广厦 邵辉
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  77-80
    摘要: 采用 KH-550硅烷偶联剂对 CABS玻璃/α-Al2O3复合粉体表面进行改性,分析了表面改性对流延浆料流变性能的影响,并讨论了微观结构与介电性能的变化。研究结果表明:在添加2%(质量分数...
  • 作者: 吴洪达 张兵兵 张泽远 蔡小宇 贾佑顺
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  81-84
    摘要: 以HCl-H2SO4溶液为发孔液,1 mol·L–1的HNO3为扩孔液,聚乙二醇作为缓蚀剂以730 V二级化成箔的比容为主要评价指标,并结合扫描电镜分析结果,研究了缓蚀剂浓度、扩孔时间和温度...
  • 作者: 任天令 孙翊淋 徐建龙 谢丹 马硕
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  85-88
    摘要: 研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能参数:硅支撑梁部分所占面积为19.3%,氮化硅膜厚度约为50 n...
  • 作者:
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  88-88
    摘要:

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

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