2~8 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

• 作者: 冯志红 刘波 张力江 王会智 高学邦
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 功率放大器 2~8 GHz 单片微波集成电路 宽带 两级拓扑
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN43|TN722.7+5
• 字数: 2302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.014

摘要

基于0.25μm GaNHEMT工艺，研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用GaN HEMT器件结构经过优化，提高了放大器的可靠性和性能；电路采用多极点电抗匹配网络，扩展了放大器的带宽，减小了电路的损耗。测试结果表明，在2~8 GHz测试频带内，在脉冲偏压28 V （脉宽1 ms，占空比30%）时，峰值输出功率大于30 W，功率附加效率大于25%，小信号增益大于24 dB，输入电压驻波比在2.8以下，在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W，功率附加效率达到40%；在稳态偏压28 V时，连续波饱和输出功率大于20 W，功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
3	冯志红		38	81	5.0	5.0
4	刘波		11	33	4.0	5.0
5	王会智		4	16	3.0	4.0