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61. 柱形量子点中弱耦合磁极化子的性质刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 应用线性组合算符方法和幺正变换方法,研究在抛物势作用下的柱形量子点中磁极化子的性质.对ZnS量子点的数值计算表明,量子点中磁极化子的基态能量随特征频率、回旋共振频率的增大而增加,这是由于特征...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响.认为...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要：
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽1...
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65. ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm.它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变.X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品...
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67. ZnO薄膜肖特基二极管的研制刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用直流反应磁控溅射的方法,在Al/Si(100)衬底上沉积了ZnO晶体薄膜.利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极,制作了ZnO薄膜肖特基二极管.X射线衍射测试结果表明ZnO...
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68. ZnO薄膜的分子束外延生长及性能刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 利用分子束外延(MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(100)、GaAs(100)和蓝宝石Al2O3(0001)衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn-O化学计量比作缓冲层,改变衬底生长...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备出具有良好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜.研究了室温下薄膜的光致发光特性,观察到显著的单绿光发射(波长为514 nm)峰.在氧气中830℃高温退火后,薄...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 分别在n型半绝缘Si、弱n(n-)以及强n(n+)型Si片(100)面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p-n结.其中在生长p型ZnO时,反应室中通...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 通过对共沉淀方法制备的Zn(OH)2进行足够时间(70 min)的超声处理制备了具有网状结构的ZnO纳米团聚(WLSZC).采用高分辨率电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱等方法对所制备...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 采用MOCVD方法在c-Al2O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光(PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中,通过合适选取溅射时氧氩的压力比,可以显著提高所得n-ZnO/p-Si异质结的光生短路电流,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响,从而可以用这种方法明显...
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74. '2004中国平板显示学术会议刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要：
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 近年来,随着对宽禁带半导体材料,氧化锌薄膜研究的快速发展,对其电学性质的研究也显得尤为重要.主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用,并对初步测量结果作简要的讨论.
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 场发射显示器(field emissive display,FED)是一种新近发展起来的低压阴极射线平板显示器.Y2SiO5:Ce被筛选为这种显示器的蓝色荧光材料.然而该荧光粉发射光谱的峰值...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 设计并制备了一种以磷酸盐玻璃为衬底的一维光子晶体YAG激光防护镜.其中一维光子晶体的带隙反射1.06μm波长的光(透射率低达10-7),加上磷酸盐玻璃对1.06μm波长光的强吸收作用(透射率...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要： 制备了铕配合物有机发光二极管(OLED),为了获得Eu(DBM)3bath的特征发射,在器件中引入BCP作为空穴阻挡层.通过引入交互叠层的TPD/m-MTDATA作为空穴传输层,与传统异质结...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要：
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81. 第20届国际光学委员会大会刊名： 发光学报发表期刊： 2004年3期页码:摘要：
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 利用相对论密度泛函理论和嵌人分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的y态CuI晶体及其缺陷态的电子结构.结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s...
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83. 抛物量子点中强耦合磁极化子的性质刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合磁极化子的基态和激发态的性质.计算了基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极化子的共振频率.讨论了这些量对回旋频率和有效限制强度的依赖关系,以...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 报道了Gd3+离子在GdB306基质中的光子级联发射特性.用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd3+6GJ能态的位置和Gd3+离子的光子级联发射光谱,Gd3+离子的第一个光子发射...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 制备了一种新型的上转换发光材料,它不仅具有较高的上转换发光效率,而且还避免了氟化物基质的缺点.其组分为58.52%PbF2-34.43%CeO2-3%A12O3-0.05%Er2O3-4%Y...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 对草酸作为沉淀剂制备的细颗粒红色荧光粉Y2O3:Eu3+进行结构和发光特性研究,结果表明:其一次粒径为20～30 nm,团聚尺寸D50=0.53 μm.该荧光粉最大激发峰位于252.2 nm...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 制备了以PbF2+GeO2+WO3+SiO2+NaF为基质组分的yb3+,Er3+双掺稀土离子上转换发光玻璃陶瓷.采用日本产Hitachi F-4500荧光光度计,激发波长为980 nm,观...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果表明,由于外...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/G...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2004年4期页码:摘要： 在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH-LED)的材料生长过程中,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性,这对LED的发光不利.通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质...
发光学报基本信息
| 刊名 | 发光学报 | 主编 | 申德振 |
| 曾用名 | 发光与显示 | ||
| 主办单位 | 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-7032 | CN | 22-1116/O4 |
| 邮编 | 130033 | 电子邮箱 | fgxbt@126.com |
| 电话 | 0431-86176862，84613407 | 网址 | www.fgxb.org |
| 地址 | 长春市东南湖大路16号 |
发光学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 工程索引(美) |
| 4. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖 |
| 2. | 2001年首批进入期刊方阵 |
| 3. | 2004年被选入中国科技期刊精品库 |
发光学报统计分析
被引趋势
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